基本信息
| 标准名称： | 硅单晶抛光试验片规范 |
| 英文名称： | Specification for polished test silicon wafers |
| 中标分类： | 冶金 >> 半金属与半导体材料 >> 半金属与半导体材料综合 |
| ICS分类： | 电气工程 >> 半导体材料 |
| 发布部门： | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： | 2011-01-10 |
| 实施日期： | 2011-10-01 |
| 首发日期： | 2011-01-10 |
| 作废日期： | |
| 主管部门： | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) |
| 归口单位： | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) |
| 起草单位： | 宁波立立电子股份有限公司、杭州海纳半导体有限公司 |
| 起草人： | 宫龙飞、何良恩、许峰、黄笑容、刘培东、王飞尧 |
| 出版社： | 中国标准出版社 |
| 出版日期： | 2011-10-01 |
| 页数： | 20页 |
适用范围
本标准规定了半导体器件制备中用作检验和工艺控制的硅单晶试验片的技术要求。
本标准涵盖尺寸规格、结晶取向及表面缺陷等特性要求。本标准涉及了50.8mm~300mm 所有标准直径的硅抛光试验片技术要求。
对于更高要求的硅单晶抛光片规格,如:颗粒测试硅片、光刻分辨率试验用硅片以及金属离子监控片等,参见SEMI24《硅单晶优质抛光片规范》。
前言
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目录
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引用标准
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所属分类： 冶金 半金属与半导体材料 半金属与半导体材料综合 电气工程 半导体材料